多晶硅成分分析检测报告第三方办理

多晶硅检测范围：多晶硅、太阳能电池多晶硅、多晶硅片、多晶硅太阳能板、多晶硅光伏组件、光伏多晶硅、多晶硅料、强大多晶硅片、多晶硅制品、低温多晶硅等。

多晶硅检测项目：成分分析、成分检测、成分鉴定、性能检测、质量检测、电阻率检测、腐蚀检测、老化检测等。

多晶硅检测周期：样品测试周期一般为10个工作日。

多晶硅检测标准

GB/T1552-1995硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

GB/T1553-1997硅和锗体内少数载流子寿命测定

GB/T1555-1997半导体单晶晶向测定方法

GB/T1557-1989硅晶体中间隙氧含量测定

GB/T1558-1997硅中代位碳原子含量测定

GB/T14144-1993硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

GB/T12962-2005硅单晶

GB/T12963-1996硅多晶

GB/T4059-1983硅多晶气氛区熔磷检验方法

GB/T4060-1983硅多晶真空区熔基硼检验方法

GB/T4061-1983硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

GB/T13389-1992掺硼碜磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度

多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显;在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。